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APT25GT120BR

更新时间： 2024-09-25 03:03:55

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ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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Thunderbolt IGBT

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APT25GT120BR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	54 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	220 ns	标称接通时间 (ton)：	41 ns
Base Number Matches：	1

APT25GT120BR 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT25GT120BR(G)

1200V

APT25GT120BR

APT25GT120BRG*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Thunderbolt IGBT^®

TheThunderblot IGBT^®isanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. UsingNon-Punch

Through Technology, the Thunderblot IGBT^®offers superior ruggedness and ultrafast

switching speed.

• Low Forward Voltage Drop

• Low Tail Current

• High Freq. Switching to 50KHz

• Ultra Low Leakage Current

• RBSOA and SCSOA Rated

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT25GT120BR(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

Gate-Emitter Voltage

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

75A @ 1200V

347

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1.5mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

1200

4.5

5.5

3.2

3.9

6.5

3.7

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

100

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

TBD

120

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT25GT120BRDL	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode IGBT
APT25GT120BRDLG	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode IGBT
APT25GT120BRDQ2	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT25GT120BRDQ2G	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT25GT120BRDQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT25GT120BRG	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT25GT120BRG	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT25GT120SR	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3
APT25GT120SRG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3
APT25M100J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET

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