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APT20F50B

更新时间： 2024-09-17 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		/
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N-Channel FREDFET

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APT20F50B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	405 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT20F50B 数据手册

APT20F50B

APT20F50S

500V,ꢀꢀꢀ20A,ꢀꢀꢀ0.30ΩꢀꢀMax,Trrꢀ≤ 200nS

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

D³PAK

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

APT20F50B

APT20F50S

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

•ꢀ ZVSꢀphaseꢀshiftedꢀandꢀotherꢀfullꢀbridge

•ꢀꢀFastꢀswitchingꢀwithꢀlowꢀEMI

•ꢀꢀHalfꢀbridge

ꢀ •ꢀꢀLowꢀt ꢀforꢀhighꢀreliability

•ꢀꢀPFCꢀandꢀotherꢀboostꢀconverter

•ꢀ Buckꢀconverter

ꢀ •ꢀꢀUltraꢀlowꢀC ꢀforꢀimprovedꢀnoiseꢀimmunity

rss

ꢀ •ꢀꢀLowꢀgateꢀcharge

ꢀ •ꢀꢀAvalancheꢀenergyꢀrated

•ꢀꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀꢀSingleꢀandꢀtwoꢀswitchꢀforward

•ꢀꢀFlyback

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

405

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

290

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.43

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.15

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT20F50S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
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APT20GF120BRDQ1	ADPOW	获取价格	FAST IGBT & FRED
APT20GF120BRDQ1G	ADPOW	获取价格	FAST IGBT & FRED
APT20GF120BRG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3
APT20GF120KR	ADPOW	获取价格	The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
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