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APT20GF120BRG

更新时间: 2024-09-17 13:05:39
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美高森美 - MICROSEMI 晶体半导体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
44页 2833K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

APT20GF120BRG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.57
其他特性:AVALANCHE RATED外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):32 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):175 ns标称接通时间 (ton):20 ns
Base Number Matches:1

APT20GF120BRG 数据手册

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Power Matters.  
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Power Semiconductors  
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RF Power MOSFETs  

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