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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 36 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 255 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 19 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT20GN60B | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT |
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| APT20GN60B | ADPOW |
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IGBT |
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| APT20GN60BDQ1 | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT |
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| APT20GN60BDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT20GN60BDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT20GN60BDQ1G | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT20GN60BDQ2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P |
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| APT20GN60BDQ2(G) | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLI |
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| APT20GN60BG | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT20GN60BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT |
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