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APT20GF120KRG

更新时间: 2024-11-07 12:47:31
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美高森美 - MICROSEMI 晶体半导体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
44页 2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

APT20GF120KRG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.59
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):32 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):176 ns
标称接通时间 (ton):47 nsBase Number Matches:1

APT20GF120KRG 数据手册

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