是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.59 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 32 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 176 ns |
标称接通时间 (ton): | 47 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT20GF120SRDQ1 | ADPOW |
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FAST IGBT & FRED | |
APT20GF120SRDQ1G | ADPOW |
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FAST IGBT & FRED | |
APT20GN60B | MICROSEMI |
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Thunderbolt High Speed NPT IGBT | |
APT20GN60B | ADPOW |
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IGBT | |
APT20GN60BDQ1 | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT | |
APT20GN60BDQ1 | ADPOW |
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IGBT | |
APT20GN60BDQ1G | ADPOW |
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IGBT | |
APT20GN60BDQ1G | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT | |
APT20GN60BDQ2 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P | |
APT20GN60BDQ2(G) | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLI |