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APT20GN60B

更新时间： 2024-09-17 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Thunderbolt High Speed NPT IGBT

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APT20GN60B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	136 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	290 ns	标称接通时间 (ton)：	19 ns
Base Number Matches：	1

APT20GN60B 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT20GN60B_S(G)

APT20GN60B

APT20GN60S

APT20GN60B(G) APT20GN60S(G)

600V

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra

low V_CE(ON)and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum

conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a

slightly positive V_CE(ON)temperature coefﬁcient. Low gate charge simpliﬁes gate drive

design and minimizes losses.

(B)

D³PAK

(S)

• 600V Field Stop

• Trench Gate: Low V_CE(on)

• Easy Paralleling

• 6µs Short Circuit Capability

• 175°C Rated

Applications:Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT20GN60B_S(G)

V_CES

Collector-Emitter Voltage

600

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±±0

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

Pulsed Collector Current

@ T_C= 175°C

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 175°C

60A @ 600V

1±6

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 175

±00

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.06±" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 2mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 290µA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 20A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 20A, T_j= 125°C)

600

5.0

1.1

5.8

1.5

1.7

6.5

1.9

Volts

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

TBD

±00

I_GES

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

Intergrated Gate Resistor

R_G(int)

N/A

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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APT20GN60BDQ1	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT20GN60BDQ1	ADPOW	获取价格	IGBT
APT20GN60BDQ1G	ADPOW	获取价格	IGBT
APT20GN60BDQ1G	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT20GN60BDQ2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P
APT20GN60BDQ2(G)	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLI
APT20GN60BG	ADPOW	获取价格	IGBT
APT20GN60BG	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt High Speed NPT IGBT
APT20GN60K	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
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