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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 32 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 190 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 130 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 176 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 47 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT20GF120BRDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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| APT20GF120BRDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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| APT20GF120BRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 |
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| APT20GF120KR | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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| APT20GF120KRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT20GF120SRDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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| APT20GF120SRDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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| APT20GN60B | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT |
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| APT20GN60B | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT20GN60BDQ1 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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