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APT11044B2FLL

更新时间： 2024-01-05 06:16:31

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5页	103K
描述
POWER MOS 7 FREDFET

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APT11044B2FLL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1100 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.44 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT11044B2FLL 数据手册

Typical Performance Curves

APT11044B2FLL-LFLL

10 %

Gate Voltage

90%

Gate Voltage

= 125 C

d(off)

d(on)

90%

Drain Voltage

Drain Current

90%

5 %

10%

5 %

10 %

Drain Voltage

Drain Current

Switching Energy

Figure19,Turn-offSwitchingWaveformsandDefinitions

Figure18,Turn-onSwitchingWaveformsandDefinitions

APT30DF120

V_CE

I_C

V_DD

D.U.T.

Figure 20, Inductive Switching Test Circuit

T-MAX^TM(B2)PackageOutline

TO-264(L)PackageOutline

4.69 (.185)

5.31 (.209)

4.60 (.181)

15.49 (.610)

16.26 (.640)

5.21 (.205)

19.51 (.768)

20.50 (.807)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

1.80 (.071)

2.01 (.079)

3.10 (.122)

3.48 (.137)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

5.79 (.228)

6.20 (.244)

20.80 (.819)

21.46 (.845)

25.48 (1.003)

26.49 (1.043)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

4.50 (.177) Max.

2.29 (.090)

2.69 (.106)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

0.40 (.016)

0.79 (.031)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

19.81 (.780)

21.39 (.842)

Gate

1.01 (.040)

1.40 (.055)

Drain

Source

Drain

Source

0.48 (.019)

0.84 (.033)

2.59 (.102)

3.00 (.118)

0.76 (.030)

1.30 (.051)

2.79 (.110)

3.18 (.125)

2.21 (.087)

2.59 (.102)

5.45 (.215) BSC

2-Plcs.

5.45 (.215) BSC

2-Plcs.

These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.

Dimensions in Millimeters and (Inches)

APT’sproductsarecoveredbyoneormoreofU.S.patents4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522

5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058andforeignpatents. USandForeignpatentspending. AllRightsReserved.

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与APT11044B2FLL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT11044B2FLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
APT11044JFLL	ADPOW	POWER MOS 7 FREDFET	获取价格
APT11044LFLL	ETC	Volts:1100V RDS(ON)0.44Ohms ID(cont):26Amps\|FREDFETs ( fast body diode)	获取价格
APT11044LFLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
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