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APT11044B2FLL

更新时间： 2024-01-07 21:16:25
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ADPOW /
页数 文件大小 规格书
5页 103K
描述
POWER MOS 7 FREDFET

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APT11044B2FLL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1100 V最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.44 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT11044B2FLL 数据手册

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APT11044B2FLL-LFLL  
20,000  
10,000  
104  
50  
OPERATIONHERE  
LIMITEDBYR (ON)  
DS  
C
iss  
100µS  
10  
5
1,000  
C
oss  
1mS  
T
=+25°C  
C
T =+150°C  
J
SINGLEPULSE  
10  
C
rss  
1
100  
10mS  
1
100  
1100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
V
,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)  
V
,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)  
DS  
DS  
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA  
FIGURE11, CAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE  
16  
200  
I
= 22A  
D
100  
V
=220V  
DS  
12  
T =+150°C  
J
T =+25°C  
J
V
DS  
=880V  
V
=550V  
8
DS  
10  
4
0
1
0
50  
100  
150  
200  
250  
0.3  
V
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
1.5  
Q ,TOTALGATECHARGE(nC)  
g
,SOURCE-TO-DRAINVOLTAGE(VOLTS)  
SD  
FIGURE12,GATECHARGESvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE  
FIGURE13, SOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE  
300  
90  
80  
70  
t
d(off)  
250  
200  
150  
100  
50  
V
= 733V  
DD  
= 5Ω  
t
f
R
T
V
= 733V  
60  
50  
40  
30  
20  
G
DD  
= 5Ω  
= 125°C  
R
T
J
G
L = 100µH  
= 125°C  
J
L = 100µH  
t
r
10  
0
t
d(on)  
0
0
5
10  
15  
I
20  
(A)  
25  
30  
35  
0
5
10  
15  
I
20  
(A)  
25  
30  
35  
D
D
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT  
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
V
= 733V  
V
I
= 733V  
DD  
DD  
= 22A  
R
= 5Ω  
G
D
T
= 125°C  
T
= 125°C  
J
J
L = 100µH  
L = 100µH  
E
off  
EON includes  
EON includes  
diode reverse recovery.  
diode reverse recovery.  
E
on  
E
on  
E
off  
500  
0
1000  
0
0
5
10  
15  
20  
(A)  
25  
30  
35  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50  
I
D
R ,GATERESISTANCE(Ohms)  
G
FIGURE16, SWITCHING ENERGYvs CURRENT  
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE  
12345

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与APT11044B2FLL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT11044B2FLLG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT11044JFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT11044LFLL ETC

获取价格

 		Volts:1100V RDS(ON)0.44Ohms ID(cont):26Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT11044LFLLG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT11058B2FLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT11058JFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT11058LFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT110GF60JN MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
APT110GL100JN MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
APT-114 ABRACON

获取价格

 		Datacom Transformer, LAN; 10 BASE-T; ETHERNET Application(s), 1CT:1.41CT

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