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APT11044B2FLL

更新时间： 2024-01-13 17:16:56

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描述
POWER MOS 7 FREDFET

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APT11044B2FLL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1100 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.44 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT11044B2FLL 数据手册

Typical Performance Curves

APT11044B2FLL-LFLL

RC MODEL

Junction

temp. (°C)

=15 & 10V

6.5V

0.0271

0.0656

0.0859

0.00899F

0.0202F

0.293F

Power

(watts)

5.5V

Case temperature. (°C)

,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)

FIGURE2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL

FIGURE3,LOW VOLTAGE OUTPUTCHARACTERISTICS

1.40

> I (ON) x

(ON)MAX.

NORMALIZED TO

250µSEC. PULSE TEST

= 10V

13A

<0.5 % DUTY CYCLE

1.30

1.20

1.10

1.00

=10V

= -55°C

= +25°C

=20V

= +125°C

0.90

0.80

,GATE-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)

I ,DRAINCURRENT(AMPERES)

FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS

FIGURE5,R (ON)vsDRAINCURRENT

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

100

125

150

-50 -25

75 100 125 150

T ,CASETEMPERATURE(°C)

T ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)

FIGURE6,MAXIMUMDRAINCURRENTvsCASETEMPERATURE

FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE

1.2

= 13A

= 10V

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

-50 -25

25 50

75 100 125 150

-50 -25

75 100 125 150

T ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)

T ,CASETEMPERATURE(°C)

FIGURE8,ON-RESISTANCEvs.TEMPERATURE

FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE

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与APT11044B2FLL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT11044B2FLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
APT11044JFLL	ADPOW	POWER MOS 7 FREDFET	获取价格
APT11044LFLL	ETC	Volts:1100V RDS(ON)0.44Ohms ID(cont):26Amps\|FREDFETs ( fast body diode)	获取价格
APT11044LFLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
APT11058B2FLL	ADPOW	POWER MOS 7 FREDFET	获取价格
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