AP9928GEO

更新时间： 2024-10-28 08:32:11

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富鼎先进 - A-POWER		/
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9928GEO 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AP9928GEO 数据手册

AP9928GEO

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low on-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

23mΩ

▼ Capable of 2.5V gate drive

▼ Optimal DC/DC battery application

TSSOP-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

±12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

3.5

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.008

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

125

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200206031

12 3 4

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