AP9926GM

更新时间： 2024-10-28 12:26:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
4页	65K
描述
Low Gate Charge,Surface mount package

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AP9926GM 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	26 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9926GM 数据手册

AP9926GM

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

30mΩ

▼ Capable of 2.5V gate drive

▼ Surface mount package

SO-8

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+12

Continuous Drain Current³,V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

4.8

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201005194

12 3 4

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