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AP9920GEO

更新时间： 2024-10-28 08:32:11

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	109K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9920GEO 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	4.9 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP9920GEO 数据手册

AP9920GEO

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low on-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

28mΩ

4.9A

▼ Capable of 2.5V gate drive

▼ Optimal DC/DC battery application

▼ RoHS compliant

TSSOP-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Rating

Units

V_DS

V_GS

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Gate-Source Voltage

±10

4.9

3.9

Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

0.008

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Thermal Data

Symbol

Rthj-a

Parameter

Value

125

Unit

℃/W

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

Data and specifications subject to change without notice

201103051-1/4

12 3 4

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