AP9926GEO

更新时间： 2024-10-28 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
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4页	65K
描述
Capable of 2.5V Gate Drive, Surface Mount Package

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AP9926GEO 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	4.6 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9926GEO 数据手册

AP9926GEO

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

▼ Low On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

28mΩ

4.6A

▼ Capable of 2.5V Gate Drive

▼ Low Drive Current

▼ Surface Mount Package

▼ RoHS Compliant

TSSOP-8

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+ 12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

4.6

3.7

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.008

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

Value

125

Unit

Rthj-a

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201208082

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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