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AON6240

更新时间: 2024-10-31 17:15:11
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友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
7页 521K
描述
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):40V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):85A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:1.6mΩ@10V

AON6240 数据手册

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R
AON6240  
40V N-Channel MOSFET  
UMW  
Product Summary  
VDS(V) =40V  
D
I =85A (VGS= 10V)  
D
RDS(ON) <1.6m(V GS =10V)  
RDS(ON) <2.4m(V GS =4.5V)  
G
S
1
8
2
7
3
6
4
5
Absolute Maximum Ratings TA =25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
±20  
85  
V
V
VGS  
TC=25°C  
Continuous Drain  
Current G  
ID  
TC=100°C  
67  
A
Pulsed Drain Current C  
IDM  
355  
27  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
Avalanche Current C  
Avalanche energy L=0.1mH C  
IDSM  
A
22  
IAS, IAR  
82  
A
EAS, EAR  
336  
83  
mJ  
TC=25°C  
PD  
W
Power Dissipation B  
TC=100°C  
33  
TA=25°C  
2.3  
PDSM  
W
°C  
Power Dissipation A  
1.5  
TA=70°C  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
14  
40  
1
Max  
17  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t
10s  
Maximum Junction-to-Ambient  
Maximum Junction-to-Ambient  
Maximum Junction-to-Case  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
55  
RθJC  
1.5  
www.umw-ic.com  
UTD Semiconductor Co.,Limited  
1

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