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74V1G07CTR PDF预览

74V1G07CTR

更新时间： 2024-11-04 04:01:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 114K
描述
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)

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74V1G07CTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SOT-323, 5 PIN针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.81Is Samacsys：N
系列：74VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e4长度：2 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：BUFFER
最大I（ol）：0.004 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：1
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP6,.08封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：5.3 ns传播延迟（tpd）：12.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.1 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

74V1G07CTR 数据手册

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74V1G07  
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)  
■
■
HIGH SPEED: t = 3.7ns (TYP.) at V = 5V  
PD CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
= 1µA(MAX.) at T =25°C  
CC  
A
■
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
■
■
POWER DOWN PROTECTION ON INPUT  
OPERATING VOLTAGE RANGE:  
SOT23-5L  
SOT323-5L  
T & R  
V
(OPR) = 2V to 5.5V  
CC  
■
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
ORDER CODES  
PACKAGE  
DESCRIPTION  
SOT23-5L  
74V1G07STR  
74V1G07CTR  
The 74V1G07 is an advanced high-speed CMOS  
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN) fabricated with  
sub-micron silicon gate and double-layer metal  
SOT323-5L  
2
wiring C MOS technology.  
Power down protection is provided on input and 0  
to 7V can be accepted on input with no regard to  
the supply voltage. This device can be used to  
interface 5V to 3V.  
The internal circuit is composed of 2 stages  
including buffer output, which provide high noise  
immunity and stable output.  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
April 2004  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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