74V1G126C

更新时间： 2024-11-03 22:22:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		总线驱动器总线收发器逻辑集成电路光电二极管
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描述
SINGLE BUS BUFFER 3-STATE

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74V1G126C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SC-70, 5 PIN
针数：	5	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	控制类型：	ENABLE HIGH
系列：	74V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	长度：	2 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	BUS DRIVER
最大I（ol）：	0.004 A	位数：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	输出特性：	3-STATE
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP5/6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	13 ns
传播延迟（tpd）：	10.5 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74V1G126C 数据手册

74V1G126

SINGLE BUS BUFFER (3-STATE)

PRELIMINARY DATA

■

HIGH SPEED:t_PD=3.8ns (TYP.) atV_CC= 5V

LOW POWER DISSIPATION:

I_CC=1 µA (MAX.) at T_A=25 ^oC

HIGH NOISEIMMUNITY:

■

V_NIH= V_NIL=28% V_CC(MIN.)

POWERDOWN PROTECTIONON INPUTS

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:

|I_OH| = I_OL= 8 mA (MIN)

BALANCEDPROPAGATIONDELAYS:

t_PLHt_PHL

■

(SOT23-5L)

(SC-70)

ORDER CODE:

74V1G126S

74V1G126C

■

3-STATE control input G has to be set LOW to

place the output into the high impedance state.

Power down protection is provided on all inputs

and 0 to 7V can be accepted on inputs with no

regard to the supply voltage. This device can be

used to interface5V to 3V.

OPERATING VOLTAGERANGE:

V_CC(OPR)= 2V to 5.5V

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

DESCRIPTION

The 74V1G125 is an advanced high-speed

CMOS SINGLE BUS BUFFER fabricated with

sub-micron silicon gate and double-layer metal

wiring C²MOS technology.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

1/8

October 1999

12 3 4 5 6 7 8

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