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74V1G07STR

更新时间： 2024-09-15 04:01:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 114K
描述
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)

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74V1G07STR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 5 PIN针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.81
Is Samacsys：N系列：74V
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e3
长度：2.9 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUFFER最大I（ol）：0.004 A
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP5/6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：5.3 ns
传播延迟（tpd）：12.5 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.45 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.625 mmBase Number Matches：1

74V1G07STR 数据手册

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74V1G07  
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)  
■
■
HIGH SPEED: t = 3.7ns (TYP.) at V = 5V  
PD CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
= 1µA(MAX.) at T =25°C  
CC  
A
■
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
■
■
POWER DOWN PROTECTION ON INPUT  
OPERATING VOLTAGE RANGE:  
SOT23-5L  
SOT323-5L  
T & R  
V
(OPR) = 2V to 5.5V  
CC  
■
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
ORDER CODES  
PACKAGE  
DESCRIPTION  
SOT23-5L  
74V1G07STR  
74V1G07CTR  
The 74V1G07 is an advanced high-speed CMOS  
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN) fabricated with  
sub-micron silicon gate and double-layer metal  
SOT323-5L  
2
wiring C MOS technology.  
Power down protection is provided on input and 0  
to 7V can be accepted on input with no regard to  
the supply voltage. This device can be used to  
interface 5V to 3V.  
The internal circuit is composed of 2 stages  
including buffer output, which provide high noise  
immunity and stable output.  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
April 2004  
1/9  
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74V1G07STR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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