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74V1G08STR

更新时间： 2024-09-15 22:22:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件PC
页数 文件大小 规格书
9页 196K
描述
SINGLE 2-INPUT AND GATE

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74V1G08STR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SOT-23, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：8.57Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：11448428
Samacsys Pin Count：5Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (5-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT23-5L+-
Samacsys Released Date：2020-02-24 15:26:47Is Samacsys：N
系列：74VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3长度：2.9 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：AND GATE
最大I（ol）：0.004 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP5/6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：11 ns
传播延迟（tpd）：11 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.45 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.625 mmBase Number Matches：1

74V1G08STR 数据手册

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74V1G08  
SINGLE 2-INPUT AND GATE  
■
■
HIGH SPEED: t = 3.8ns (TYP.) at V = 5V  
PD CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
= 1µA(MAX.) at T =25°C  
CC  
A
■
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
■
■
POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
SOT23-5L  
SOT323-5L  
T & R  
|I | = I = 8mA (MIN) at V = 4.5V  
OH  
OL  
CC  
■
■
■
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
t
t
ORDER CODES  
PLH  
PHL  
OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 2V to 5.5V  
PACKAGE  
V
CC  
SOT23-5L  
74V1G08STR  
74V1G08CTR  
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
SOT323-5L  
DESCRIPTION  
Power down protection is provided on all inputs  
and 0 to 7V can be accepted on inputs with no  
regard to the supply voltage. This device can be  
used to interface 5V to 3V.  
The 74V1G08 is an advanced high-speed CMOS  
SINGLE 2-INPUT AND GATE fabricated with  
sub-micron silicon gate and double-layer metal  
2
wiring C MOS technology.  
The internal circuit is composed of 2 stages  
including buffer output, which provide high noise  
immunity and stable output.  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
July 2001  
1/9  
1234567...9

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74V1G08STR 替代型号

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