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74LVC1G57GN

更新时间： 2024-02-20 14:57:51

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	264K
描述
Low-power configurable multiple function gateProduction

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技术参数
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74LVC1G57GN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.65
系列：	LVC/LCX/Z	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1 mm
逻辑集成电路类型：	LOGIC CIRCUIT	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.35 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.3 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	0.9 mm	Base Number Matches：	1

74LVC1G57GN 数据手册

74LVC1G57

Low-power configurable multiple function gate

Rev. 10 — 1 February 2022

Product data sheet

1. General description

The 74LVC1G57 is a configurable multiple function gate with Schmitt-trigger inputs. The device

can be configured as any of the following logic functions AND, OR, NAND, NOR, XNOR, inverter

and buffer; using the 3-bit input. All inputs can be connected directly to V_CCor GND. Inputs can be

driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of these devices as translators

in mixed 3.3 V and 5 V environments.

This device is fully specified for partial power down applications using I_OFF. The I_OFFcircuitry

disables the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when

it is powered down.

2. Features and benefits

•

Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

•

Overvoltage tolerant inputs to 5.5 V

High noise immunity

±24 mA output drive (V_CC= 3.0 V)

CMOS low power dissipation

Latch-up performance exceeds 250 mA

Direct interface with TTL levels

I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

Complies with JEDEC standard:

•

JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

JESD8B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).

•

ESD protection:

•

HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

•

Multiple package options

Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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