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74LVC1G58GM

更新时间： 2024-11-19 11:09:39
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安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 266K
描述
Low-power configurable multiple function gateProduction

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74LVC1G58GM 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SON-6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.11
Is Samacsys：N系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
长度：1.45 mm逻辑集成电路类型：LOGIC CIRCUIT
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSON封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1 mm
Base Number Matches：1

74LVC1G58GM 数据手册

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74LVC1G58  
Low-power configurable multiple function gate  
Rev. 11 — 1 February 2022  
Product data sheet  
1. General description  
The 74LVC1G58 is a configurable multiple function gate with Schmitt-trigger inputs. The device  
can be configured as any of the following logic functions AND, OR, NAND, NOR, XOR, inverter  
and buffer; using the 3-bit input. All inputs can be connected diectly to VCC or GND. Inputs can be  
driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of these devices as translators  
in mixed 3.3 V and 5 V environments.  
This device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry  
disables the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when  
it is powered down.  
2. Features and benefits  
•
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V  
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•
•
•
•
•
•
High noise immunity  
±24 mA output drive (VCC = 3.0 V)  
CMOS low power dissipation  
IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation  
Latch-up performance exceeds 250 mA  
Direct interface with TTL levels  
Overvoltage tolerant inputs to 5.5 V  
Complies with JEDEC standard:  
•
•
•
•
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)  
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)  
JESD8C (2.7 V to 3.6 V)  
JESD36 (4.5 V to 5.5 V)  
•
ESD protection:  
•
•
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V.  
•
•
Multiple package options  
Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C.  
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
74LVC1G58GM,115 NXP

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