是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TQFP |
包装说明: | QFP, QFP100,.63X.87 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.2 |
最长访问时间: | 4.2 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
71V2556S133PFG | IDT |
完全替代 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
71V546S133PFG | IDT |
完全替代 |
128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT⢠|
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V546S133PFGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V546S133PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Synchronous SRAM with ZBT Feature Burst Counter and Pipelined Outputs | |
71V546XS100PFG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V546XS100PFGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V546XS117PFG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V546XS117PFGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V546XS133PFG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V546XS133PFGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAM | |
71V547 | RENESAS |
获取价格 |
3.3V 128K x 36 ZBT Synchronous Flow-Through SRAM | |
71V547S100PFG | IDT |
获取价格 |
Synchronous SRAM |