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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TQFP |
| 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.21 |
| 最长访问时间： | 5 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 71V546S100PFGI | IDT | 3.3V Synchronous SRAM |
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| 71V546S100PFGI8 | IDT | Synchronous SRAM with ZBT Feature Burst Counter and Pipelined Outputs |
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| 71V546S100PFI | IDT | ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
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| 71V546S100PFIG | IDT | ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 |
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| 71V546S117PF | IDT | ZBT SRAM, 128KX36, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
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| 71V546S117PFG | IDT | 3.3V Synchronous SRAM |
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