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5SDD08D5000

更新时间： 2024-11-05 03:04:31

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ABB		二极管
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5页	147K
描述
Rectifier Diode

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5SDD08D5000 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.8 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	12000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1028 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5000 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END

5SDD08D5000 数据手册

V_RSM

I_FAVM

I_FRMS

5200 V

1028 A

1614 A

Rectifier Diode

5SDD 08D5000

I_FSM= 12.8×10³A

V_F0

r_F

0.894 V

0.487

mΩ

Doc. No. 5SYA1165-00 Jan. 03

• Very low on-state losses

• Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

Value

5000

5200

Unit

Repetetive peak reverse voltage

V_RRM

f = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

Non - repetetive peak reverse voltage V_RSM

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_RRMV_RRM, Tj = 160°C

min

typ

max

Unit

Max. (reverse) leakage current

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Mounting force

Acceleration

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

F_M

min

max

Unit

100

Device unclamped

Device clamped

m/s²

Symbol Conditions

typ

0.3

max

Unit

Weight

Housing thickness

Pole-piece diameter

Surface creepage distance

Air strike distance

D_P

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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