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5SDD60Q2800

更新时间： 2024-11-05 03:04:31

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ABB		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
Rectifier Diode

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5SDD60Q2800 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	87000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最大输出电流：	7385 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

5SDD60Q2800 数据手册

V_RSM

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_FSM

2800 V

7385 A

11600 A

87×10³A

0.8 V

Rectifier Diode

5SDD 60Q2800

V_F0

r_F

0.05

Doc. No. 5SYA1161-01 Feb. 05

· Patented free-floating silicon technology

· Very low on-state losses

· Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

Value

2000

2800

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RSM

f = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= 160°C

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= 160°C

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

400

Unit

Max. (reverse) leakage current

I_RRM

V_RRM, Tj = 160°C

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

max

Unit

m/s²

Mounting force

Acceleration

F_M

108

Device unclamped

Device clamped

100

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

25.8

typ

2.1

max

26.2

Unit

Weight

Housing thickness

Surface creepage distance

Air strike distance

F_M= 90 kN, T_a= 25 °C

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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