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5SDD11D2800

更新时间： 2024-11-05 03:04:31

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ABB		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	110K
描述
Rectifier Diode

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5SDD11D2800 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	15000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最大输出电流：	1285 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2800 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDD11D2800 数据手册

V_RSM

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_FSM

3000 V

1285 A

Rectifier Diode

5SDD 11D2800

2019 A

15×10³A

V_F0

0.933 V

r_F

0.242

Doc. No. 5SYA1166-00 Okt. 03

· Very low on-state losses

· Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

Value

2800

3000

Unit

Repetetive peak reverse voltage

V_RRM

f = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

Non - repetetive peak reverse voltage V_RSM

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_RRMV_RRM, Tj = 160°C

min

typ

max

Unit

Max. (reverse) leakage current

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

max

Unit

m/s²

Mounting force

Acceleration

F_M

Device unclamped

Device clamped

100

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

25.5

typ

0.3

max

26.5

Unit

Weight

Housing thickness

Surface creepage distance

Air strike distance

F_M= 10 kN, T_a= 25 °C

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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