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5SDD11D2800

更新时间: 2024-11-06 03:04:31
品牌 Logo 应用领域
ABB 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
Rectifier Diode

5SDD11D2800 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:O-CEDB-N2最大非重复峰值正向电流:15000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:160 °C
最大输出电流:1285 A封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:2800 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
Base Number Matches:1

5SDD11D2800 数据手册

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VRSM  
IF(AV)M  
IF(RMS)  
IFSM  
=
=
=
=
=
=
3000 V  
1285 A  
Rectifier Diode  
5SDD 11D2800  
2019 A  
15×103 A  
VF0  
0.933 V  
rF  
0.242  
mW  
Doc. No. 5SYA1166-00 Okt. 03  
· Very low on-state losses  
· Optimum power handling capability  
Blocking  
Maximum rated values 1)  
Parameter  
Symbol Conditions  
Value  
2800  
3000  
Unit  
V
Repetetive peak reverse voltage  
VRRM  
f = 50 Hz, tp = 10ms, Tj = -40...160°C  
f = 5 Hz, tp = 10ms, Tj = -40...160°C  
Non - repetetive peak reverse voltage VRSM  
V
Characteristic values  
Parameter  
Symbol Conditions  
IRRM VRRM, Tj = 160°C  
min  
typ  
typ  
max  
30  
Unit  
Max. (reverse) leakage current  
mA  
Mechanical data  
Maximum rated values 1)  
Parameter  
Symbol Conditions  
min  
max  
Unit  
kN  
m/s2  
m/s2  
Mounting force  
Acceleration  
Acceleration  
FM  
8
10  
12  
50  
a
a
Device unclamped  
Device clamped  
100  
Characteristic values  
Parameter  
Symbol Conditions  
min  
25.5  
typ  
0.3  
max  
26.5  
Unit  
kg  
Weight  
m
Housing thickness  
Surface creepage distance  
Air strike distance  
H
FM = 10 kN, Ta = 25 °C  
mm  
mm  
mm  
DS  
Da  
33  
18  
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  

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