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5SDD40H4000

更新时间： 2024-11-05 02:51:55

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ABB		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	277K
描述
Rectifier Diode

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5SDD40H4000 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	46000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	4140 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4000 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDD40H4000 数据手册

V_RSM

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_FSM

4000 V

4140 A

Rectifier Diode

5SDD 40H4000

6500 A

46×10³A

V_F0

0.905 V

r_F

0.109

Doc. No. 5SYA1176-00 March 05

· Very low on-state losses

· Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

Value

4000

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM

f = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

Non - repetitive peak reverse voltage V_RSM

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_RRMV_RRM, Tj = 160°C

min

typ

max

100

Unit

Max. (reverse) leakage current

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

max

Unit

m/s²

Mounting force

Acceleration

F_M

Device unclamped

Device clamped

100

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

25.5

typ

0.9

max

26.5

Unit

Weight

Housing thickness

Surface creepage distance

Air strike distance

F_M= 50 kN, T_a= 25 °C

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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