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5SDD54N4000

更新时间： 2024-02-03 06:01:56

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ABB		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	359K
描述
Rectifier Diode

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5SDD54N4000 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X3
最大非重复峰值正向电流：	90000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：
最大输出电流：	5200 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	3600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	Base Number Matches：	1

5SDD54N4000 数据手册

V_RSM

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_FSM

4000 V

5200 A

8200 A

85×10³A

0.8 V

Rectifier Diode

5SDD 54N4000

V_F0

r_F

0.086

mΩ

Doc. No. 5SYA1171-00 Dec. 03

• Patented free-floating silicon technology

• Very low on-state losses

• Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

V_RRMf = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= 0...150°C

Value

3600

4000

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non - repetitive peak reverse voltage V_RSM

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= 0...150°C

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

400

Unit

Max. (reverse) leakage current

I_RRM

V_RRM, Tj = 150°C

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

max

Unit

m/s²

Mounting force

Acceleration

F_M

108

Device unclamped

Device clamped

100

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Weight

2.8

Housing thickness

Surface creepage distance

Air strike distance

F_M= 90 kN, T_a= 25 °C

35.9

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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