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5SDD54N4000

更新时间： 2024-01-12 02:26:33
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ABB 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 359K
描述
Rectifier Diode

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5SDD54N4000 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大非重复峰值正向电流：90000 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：
最大输出电流：5200 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：3600 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIEDBase Number Matches：1

5SDD54N4000 数据手册

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5SDD 54N4000  
On-state  
Maximum rated values 1)  
Parameter  
Symbol Conditions  
IF(AV)M 50 Hz, Half sine wave, TC = 85 °C  
min  
typ  
max  
5200  
Unit  
Max. average on-state  
current  
A
8200  
85×103  
Max. RMS on-state current IF(RMS)  
A
A
Max. peak non-repetitive  
surge current  
IFSM  
tp = 10 ms, Tj = 150°C,  
VR = 0 V  
36.3×106  
90×103  
Limiting load integral  
I2t  
A2s  
A
Max. peak non-repetitive  
surge current  
IFSM  
tp = 8.3 ms, Tj = 150°C,  
VR = 0 V  
34.6×106  
Limiting load integral  
I2t  
A2s  
Characteristic values  
Parameter  
Symbol Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
V
1.23  
On-state voltage  
Threshold voltage  
Slope resistance  
VF  
IF = 5000 A, Tj = 150°C  
0.8  
V(T0)  
rT  
Tj = 150°C  
IT = 2500...7500 A  
V
0.086  
mΩ  
Switching  
Characteristic values  
Parameter  
Symbol Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Qrr  
18000  
µAs  
Recovery charge  
diF/dt = -10 A/µs, VR = 200 V  
IFRM = 4000 A, Tj = 150°C  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA1171-00 Dec. 03  
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