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5SDD51L2800

更新时间： 2024-01-15 11:06:38

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ABB		二极管瞄准线
页数	文件大小	规格书
6页	677K
描述
Rectifier Diode

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5SDD51L2800 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	L, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.77 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	65000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	5380 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2000 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDD51L2800 数据手册

V_RSM

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_FSM

2800 V

5380 A

8450 A

65×10³A

0.77 V

Rectifier Diode

5SDD 51L2800

V_F0

r_F

0.082

Doc. No. 5SYA1103-01 Feb. 05

· Patented free-floating silicon technology

· Very low on-state losses

· High average and surge current.

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

Value

2000

2800

3000

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RSM

f = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= 175°C

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= 175°C

f = 50 Hz, t_p£ 5ms, T_j= ...175°C

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_RRMV_RRM, Tj = 175°C

min

typ

max

400

Unit

Max. (reverse) leakage current

T_vj= -40°C reduces V_RSMand V_RRMby 5%.

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

max

Unit

m/s²

Mounting force

Acceleration

F_M

Device unclamped

Device clamped

100

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

25.7

typ

max

Unit

Weight

1.45

26.3

Housing thickness

Surface creepage distance

Air strike distance

F_M= 70 kN, T_a= 25 °C

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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