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5SDD51L2800

更新时间： 2024-02-11 22:30:02

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5SDD51L2800 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	L, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.77 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	65000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	5380 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2000 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDD 51L2800

Fig. 9 Outline drawing. All dimensions are in millimeters and represent nominal values unless stated otherwise.

Related application notes:

Doc. Nr

Titel

5SYA 2020

5SYA 2029

5SYA 2036

Design of RC-Snubbers for Phase Control Applications

Designing Large Rectifiers with High Power Diodes

Recommendations regarding mechanical clamping of Press Pack High Power Semiconductors

Please refer to http://www.abb.com/semiconductors for actual versions.

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

ABB Switzerland Ltd

Semiconductors

Doc. No. 5SYA1103-01 Feb. 05

Fabrikstrasse 3

CH-5600 Lenzburg, Switzerland

Telephone +41 (0)58 586 1419

Fax

+41 (0)58 586 1306

Internet

abbsem@ch.abb.com

www.abb.com/semiconductors

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