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5SDD24F2800

更新时间： 2024-11-05 03:04:31

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ABB		二极管
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5页	145K
描述
Rectifier Diode

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5SDD24F2800 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	O-XEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	30000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	2596 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	2800 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

5SDD24F2800 数据手册

V_RSM

I_FAVM

I_FRMS

I_FSM

V_F0

3000 V

2596 A

Rectifier Diode

5SDD 24F2800

4078 A

30×10³A

0.906 V

0.135

mΩ

r_F

Doc. No. 5SYA1167-00 Jan. 03

• Very low on-state losses

• Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

Value

2800

3000

Unit

Repetetive peak reverse voltage

V_RRM

f = 50 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

Non - repetetive peak reverse voltage V_RSM

f = 5 Hz, t_p= 10ms, T_j= -40...160°C

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_RRMV_RRM, Tj = 160°C

min

typ

max

Unit

Max. (reverse) leakage current

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Mounting force

Acceleration

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

F_M

max

Unit

100

Device unclamped

Device clamped

m/s²

Symbol Conditions

min

typ

0.5

max

Unit

Weight

Housing thickness

Pole-piece diameter

Surface creepage distance

Air strike distance

D_P

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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