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3DD13002B1

更新时间： 2024-02-14 05:00:18

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描述
3DD13002 B1硅NPN型功率开关晶体管

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3DD13002B1 数据手册

晶分立器件

3DD13002 B1

低放大境定双极型晶体管

1 概述与特点

3DD13002 B1 硅 NPN 型功率开关晶体管主要用于电子节能灯电子镇流器及手机充电器的

功率开关电路其特点如下

击穿电压高反向漏电流小

开关速度快

饱和压降低电流特性好

高温性能好

封装形式 TO-92

5. 2max

4. 2max

2 电特性

2.1 极限值

除非另有规定 T_amb= 25

参数名称

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极电流

符号

V_CB0

V_CE0

V_EB0

I_C

额定值

600

单位

400

0.5

0. 45max

1. 27

耗散功率 Ta=25

结温

P_tot

0.8

0. 45max

1. 27

T_j

150

C B

贮存温度

T_stg

-55 150

2.2 电参数

除非另有规定 T_amb= 25

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小典型最大

集电极-基极截止电流

发射极-基极截止电流

I_CB0

I_EB0

V_CB=600V, I_E=0

V_EB=9V, I_C=0

100

共发射极正向电流传输比

的静态值

h_FE

V_CE=5V, I_C=200mA

h_FE1:V_CE=5V, I_C=5mA

h_FE2:V_CE=5V, I_C=200mA

小电流下 h_FE1与大电流下

h_FE1/

h_FE2

0.75

0.9

h_FE2比值

集电极-发射极饱和电压

基极-发射极饱和电压

下降时间

V_{CE sat}I_C=200mA, I_B=40mA

0.5

1.2

0.5

2.5

V_{BE sat}I_C=200mA, I_B=40mA

t_f

t_s

V_CC=60V, I_C=0.3A

I_B1=-I_B2=0.1A

贮存时间

V_CE=10V, I_C=50mA

f=1MHz

特征频率

f_T

MHz

a: 脉冲测试 tp 300 s,

无锡华晶微电子股份有限公司

地址江苏省无锡市梁溪路 14 号电话 0510 5807228-2268 2299

传真 0510 5800360

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