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3DD13002-TO-126

更新时间： 2024-01-08 18:27:40

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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3页	903K
描述
TRANSISTOR（ NPN ）

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3DD13002-TO-126 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13002 TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 126

FEATURES

Power dissipation

P_CM

Collector current

I_CM

1.25

W（Tamb=25℃）

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 600

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

Ic= 100μA， I_E=0

Ic= mA， I_B=0

I_E= 100μA， I_C=0

conditions

MIN

600

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB= 600

V_EB= 6

V， I_E=0

V， I_C=0

100

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE（1）

h_FE（2）

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE= 10 V, I_C= 250 µA

V_CE= 10 V, I_C= 200 mA

I_C=200mA, I_B= 40 mA

DC current gain

0.8

1.1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Fall time

V_CE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

MHz

µs

t_f

0.5

2.5

I_C=1A, I =-I_B2=0.2A

V_CC=100V

Storage time

t_s

µs

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

Range

9-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

12 3

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