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3DD13002S

更新时间： 2023-12-06 20:02:27

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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TO-92

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3DD13002S 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

-92 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13002S TRANSISTOR (NPN)

TO-92

FEATURES

1 . EMITTER

Power switching applications

2. COLLECTOR

3. BASE

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

13002S

13002S,!ꢀ-ꢁꢂꢀꢃꢂo.ꢀꢃ

XXX

Solid dot= Green molding compound

device, if none, the normal device

///,ꢄodeꢀ

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1000pcs/Bagꢀ

2000pcs/Box

ꢆꢇꢈꢉꢀ

3DD13002S

3DD13002S-TA

ꢁꢊꢋꢌꢀ

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

600

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

400

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

P_C

Collector Power Dissipation

0.75

167

R_θJA

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

℃/W

℃

T_J,T_stg

-55~+150

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4

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