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3DD13002R6

更新时间： 2024-01-17 07:09:24

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描述
3DD13002R6硅NPN型功率开关晶体管

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3DD13002R6 数据手册

晶分立器件

3DD13002R6

低放大管壳定双极型晶体管

1 概述与特点

3DD13002R6 硅 NPN 型功率开关晶体管主要用于低压电子节能灯电子镇流器的功率开关

电路其特点如下

高温特性好

开关速度快

饱和压降低

电流特性好

2. 8max

7. 8max

封装形式 TO-126

3. 2max

2 电特性

2.1 极限值

除非另有规定 T_amb= 25

标

记

参数名称

集电极-发射极电压

集电极-基极电压

发射极-基极电压

集电极电流

符号

V_CE0

V_CB0

V_EB0

I_C

额定值

单位

200

1. 27

350

0. 74

Ta=25

耗散功率

1.0

P_tot

Tc=25

1. 65

0. 5

2. 29 2. 29

结温

T_j

150

贮存温度

T_stg

-55 150

2.2 电特性

除非另有规定 T_amb= 25

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小典型最大

集电极-基极截止电流

发射极-基极截止电流

I_CB0

I_EB0

V_CB=350V, I_E=0

V_EB=9V, I_C=0

0.1

共发射极正向电流传输比

的静态值

h_FE

V_CE=5V, I_C=0.2A

集电极-发射极饱和电压

基极-发射极饱和电压

下降时间

V_{CE sat}I_C=1A, I_B=0.25A

V_{BE sat}I_C=1A, I_B=0.25A

1.5

0.5

2.5

t_f

t_s

V_CC=60V, I_C=0.6A

2I_B1=-I_B2=0.2A

贮存时间

V_CE=10V, I_C=200mA

f=1MHz

特征频率

f_T

MHz

a: 脉冲测试 tp 300 s,

无锡华晶微电子股份有限公司

地址江苏省无锡市梁溪路 14 号电话 0510 5807228-2268 2299

传真 0510 5800360

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