3DD13003

更新时间： 2024-01-11 22:12:21

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管开关
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2页	146K
描述
TRANSISTOR ( NPN )

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3DD13003 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

3DD13003 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors

TO-220

3DD13003 TRANSISTOR ( NPN )

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

3. EMITTER

· power switching applications

MAXIMUM RATINGS* T_A=25℃ unless otherwise noted

1 2 3

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

700

400

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

1.5

P_C

℃

T_J, T_stg

Junction and Storage Temperature

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

700

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 1000uA, I_E=0

Ic= 10 mA,

I_E= 1mA,

I_B=0

I_C=0

V_CB= 700V , I_E=0

V_CE= 400V, _B=0

V_EB= 9 V, I_C=0

1000

500

1000

µA

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE

_CE= 5 V, I_C= 0.5 A

_CE= 5 V, I_C= 1.5A

（

）

DC current gain

h_FE

（

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

I_C=1000mA,I_B= 250 mA

I_C=1000mA, I_B= 250mA

I_E= 2000 mA

1.2

_CE=10V,Ic=100mA

Transition frequency

f_T

MHz

f =1MHz

Fall time

t_f

0.5

2.5

µs

I_C=1A, I_B1=-I_B2=0.2A

V_CC=100V

Storage time

t_s

CLASSIFICATION OF h_FE

(1)

Rank

Range

8-10

10-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

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