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3DD13003(TO-126)

更新时间： 2024-01-15 20:37:57

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
Transistor

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3DD13003(TO-126) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	5 MHz	Base Number Matches：	1

3DD13003(TO-126) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13003 TRANSISTOR (NPN)

TO-126

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

1.25 W (Tamb=25℃)

1. BASE

Collector current

I_CM:

2. COLLECTOR

3. EMITTER

1.5

Collector-base voltage

1 2 3

V_(BR)CBO

700

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

MIN

700

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 1000µA, I_E=0

Ic= 10mA, I_B=0

I_E= 1000µA, I_C=0

V_CB= 700V, I_E=0

1000

500

1000

µA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE= 400V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 9V, I_C=0

H_FE(1)

H_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

V_CE= 2V, I_C= 0.5 A

V_CE= 10V, I_C= 0.5 mA

I_C=1000mA,I_B= 250 mA

I_C=1000mA, I_B= 250mA

I_E= 2000 mA

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

1.2

V_CE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

Transition frequency

f_T

MHz

µs

Fall time

t_f

0.5

2.5

I_C=1A, I_B1=-I_B2=0.2A

V_CC=100V

Storage time

t_s

CLASSIFICATION OF H_FE(1)

Rank

Range

8-10

10-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

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