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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3843
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2SK3843

更新时间： 2024-09-16 04:26:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管电机驱动
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

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2SK3843 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
雪崩能效等级（Eas）：542 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3843 数据手册

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2SK3843  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U−MOSIII)  
2SK3843  
Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 2.7 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 120 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 10 μA (max) (V  
= 40 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 1.5~3.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
DS D  
th  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
40  
40  
V
V
DSS  
Drain–gate voltage (R  
Gate–source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±20  
75  
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
I
300  
125  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
JEDEC  
JEITA  
―
Single-pulse avalanche energy  
E
I
542  
mJ  
AS  
SC-97  
2-9F1B  
(Note 2)  
Avalanche current  
75  
12.5  
A
AR  
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 0.74 g (typ.)  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
4
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Thermal resistance, channel to case  
R
1.0  
°C/W  
th (ch–c)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: V = 25 V, T = 25°C (initial), L = 100 µH, I = 75 A, R = 25 Ω  
DD  
ch  
AR  
G
3
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-09-27  
123456

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与2SK3843相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3843(TE24L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,75A I(D),SC-97
2SK3844 TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator, DC-DC Converter Applications
2SK3845 TOSHIBA

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2SK3845(F) TOSHIBA

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 		2SK3845(F)
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 		暂无描述
2SK3846 TOSHIBA

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2SK384L ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-252VAR

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