2SK3794

更新时间： 2024-11-24 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
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8页	151K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3794 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-251, MP-3, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3794 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3794

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3794 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

2SK3794

PACKAGE

designed for high current switching applications.

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3794-Z

FEATURES

• Low On-state resistance

(TO-251)

R^DS(on)1= 44 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)

R^DS(on)2= 78 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 10 A)

• Low Ciss: Ciss = 760 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±50

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

−55 to +150

Storage Temperature

T^stg

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Energy ^Note3

I^AS

E^AS

E^AR

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

3. I^AR≤ 15 A, Tch ≤ 150°C

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16778EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2004

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3794-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3796	SANYO	获取价格	N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converte
2SK3796_12	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-2	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3796-2-TL-E	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-3	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,1.2MA I(DSS),SOT-416
2SK3796-3-TL-E	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-4	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3796-4-TL-E	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3797	TOSHIBA	获取价格	Silicon N-Channel MOS Type

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