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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3797
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2SK3797

更新时间： 2024-11-24 21:54:31
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 221K
描述
Silicon N-Channel MOS Type

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2SK3797 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1033 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.43 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3797 数据手册

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2SK3797  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSVI)  
2SK3797  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.32Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 7.5 S (typ.)  
fs  
= 100 μA (V  
Low leakage current: I  
= 600 V)  
DSS  
DS  
DS  
Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
600  
600  
±30  
13  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
52  
50  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
1033  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
13  
5.0  
A
JEDEC  
JEITA  
―
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight: 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
2.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
62.5  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.  
Note 2:  
= 90 V, T = 25°C (initial), L = 10.7 mH, I = 13 A, R = 25 Ω  
V
DD  
1
ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2005-01-24  
123456

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