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2SK3800VR

更新时间： 2024-11-25 20:01:27
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三垦 - SANKEN /
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
Transistor

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2SK3800VR 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

2SK3800VR 数据手册

  
MOS FET 2SK3800  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25ºC)  
Electrical Characteristics  
External Dimensions TO220S  
(Ta=25ºC)  
Unit  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
40  
Unit  
V
Symbol  
Test Conditions  
min  
40  
max  
V
DSS  
0.2  
4.44  
0.2  
(5)  
1.3  
V
GSS  
20  
V(BR) DSS  
I
D
= 100µA, V = 0V  
V
GS  
V
V
=
15V  
I
70  
140  
A
I
GS  
10  
100  
4.0  
µA  
µA  
V
S
D
GSS  
1
V
V
= 40V,  
= 10V,  
= 10V,  
= 10V,  
V
GS  
= 0V  
ID (pulse)  
*
A
DS  
I
DSS  
0.2  
2.6  
P
D
V
I
= 1mA  
= 35A  
= 35A  
2.0  
30  
3.0  
50  
80 (Tc=25ºC)  
400  
W
mJ  
ºC  
ºC  
TH  
DS  
D
+0.2  
–0.1  
0.1  
2
EAS  
*
Re (yfs)  
V
I
0.2  
DS  
GS  
D
1.2  
0.86  
+0.2  
–0.1  
T
R
V
I
D
5.0  
6.0  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
150  
ch  
DS (ON)  
Tstg  
5100  
1200  
860  
100  
100  
300  
130  
0.9  
–40 to +150  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
= 10V  
DS  
0.1  
0.1  
2.54  
2.54  
f = 1.0MHz  
= 0V  
*
*
1: PW 100µs, duty cycle 1%  
2: VDD = 20V, L=1mH, IL = 20A, unclamped,  
V
GS  
R
G = 5 0 Ω  
(5.4)  
0.3  
t
t
t
t
d (on)  
10.2  
I
D
= 35A  
ns  
r
V
DD  
= 20V,  
R = 22Ω  
G
ns  
d (off)  
f
R
L
= 0.57Ω,  
V = 10V  
GS  
ns  
1
2
3
Details of the back (S=2/1)  
(Unit: mm)  
V
ns  
V
t
I
SD  
= 50A, V = 0V  
1.2  
SD  
GS  
I
= 25A, di/dt = 50A/µs  
110  
rr  
SD  
R
R
1.56  
62.5  
ºC/W  
ºC/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
—
Characteristics (typ.)  
—
GS Characteristics (typ.)  
—
GS Characteristics (typ.)  
—
D Characteristics (typ.)  
(VDS = 10V)  
■ ID VDS  
■ ID  
V
■ VDS  
V
■ Re (yfs)  
I
(Ta= 25ºC)  
(VDS = 10V)  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
500  
70  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
Tc= –55°C  
25°C  
100  
10  
150°C  
10V  
5.5V  
5.0V  
VGS = 4.5V  
Ta= 150°C  
25°C  
ID = 70A  
35A  
–55°C  
1
1
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0  
0
5
10  
15  
20  
10  
70  
VDS (V)  
VGS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
—
Characteristics (typ.)  
—
Characteristics (typ.)  
j-c — t Characteristics (Single pulse)  
10  
Dynamic I/O Characteristics (typ.)  
■
■ RDS (ON) ID  
■ RDS (ON) TC  
■
Ta= 25ºC  
VGS = 10V  
ID = 35A  
GS = 10V  
V
(ID = 35A)  
12.0  
10.0  
8.0  
6.0  
4.0  
2.0  
0
30  
20  
10  
0
15  
7.0  
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0
VDS  
10  
5
1
VGS  
VDD = 8V  
12V  
14V  
0.1  
16V  
24V  
0.01  
0
150  
0.00001 0.0001 0.001 0.01  
0.1  
1
10  
100  
0
50  
100  
0
10 20 30 40 50 60 70  
–60 –50  
0
50  
100  
150  
ID (A)  
Tc (ºC)  
t (s)  
Qg (nC)  
Capacitance— VDS Characteristics (typ.)  
(Ta= 25ºC)  
—
SD Characteristics (typ.)  
Safe Operating Area (single pulse)  
—
C Characteristics  
T
■
■ IDR  
V
■
■ PD  
(Ta= 25ºC)  
50000  
70  
500  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
VGS = 0V  
f= 1MHz  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
10  
1
10000  
Ciss  
Ta= 150°C  
25°C  
1000  
100  
Coss  
Crss  
–55°C  
0.1  
0.1  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
1
10  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
VDS (V)  
VSD (V)  
VDS (V)  
Tc (ºC)  
111  
1

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