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2SK3799

更新时间： 2024-10-13 21:54:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 222K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3799 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：1.52
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1080 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：1.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3799 数据手册

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2SK3799  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSIV)  
2SK3799  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low drain-source ON resistance  
High forward transfer admittance  
: R = 1.0 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 6.0 S (typ.)  
fs  
Low leakage current : I  
= 100μA (max) (V  
= 720 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
DSS  
DS  
Enhancement model : V = 2.0 to 4.0 V (V  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
900  
900  
±30  
8
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
Gate-source voltage  
V
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
I
24  
A
DP  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
Drain power dissipation  
P
50  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
1080  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
JEITA  
—
Avalanche current  
I
8
5
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
SC-67  
2-10U1B  
AR  
T
ch  
150  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Weight: 1.7 g (typ.)  
2
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.5  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
1
R
62.5  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 30.9 mH, R = 25Ω, I = 8 A  
DD ch AR  
G
3
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2005-01-24  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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