2SK3813

更新时间： 2024-11-20 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
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8页	159K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3813 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MP-3, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	0.06 A
最大漏源导通电阻：	0.0071 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3813 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3813

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3813 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

PACKAGE

designed for high current switching applications.

2SK3813

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3813-Z

FEATURES

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 5.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

R^DS(on)2= 7.1 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)

• Low Ciss: Ciss = 5500 pF TYP.

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

(TO-252)

±60

±240

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

137

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Current ^Note3

Repetitive Avalanche Energy ^Note3

E^AS

I^AR

E^AR

137

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH

3. T^ch(peak)≤ 150°C, RG = 25 Ω

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16739EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2004

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3813(0)-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 40V 60A 5.3Mohm, MP-3Z, /Embossed Tape
2SK3813(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252
2SK3813-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 40V 60A 5.3Mohm Mp-3/To-251, MP-3, /Bag
2SK3813-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3813-Z	RENESAS	获取价格	60mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN
2SK3813-ZK-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 40V 60A 5.3Mohm, MP-3ZK, /Embossed Tape
2SK3813-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252
2SK3814	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3814	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3814	TYSEMI	获取价格	Low On-state resistance RDS(on)1 = 8.7m MAX.Low C iss: C iss = 5450 pF TYP.

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