2SK3814-Z

更新时间： 2024-11-20 22:36:15

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3814-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-252, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	102 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3814-Z 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3814

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3814 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

2SK3814

PACKAGE

designed for high current switching applications.

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3814-Z

FEATURES

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 8.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

R^DS(on)2= 10.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)

• Low Ciss: Ciss = 5450 pF TYP.

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

(TO-252)

±60

±240

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

102

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Current ^Note3

Repetitive Avalanche Energy ^Note3

E^AS

I^AR

E^AR

102

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH

3. T^ch(peak)≤ 150°C, RG = 25 Ω

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sales representative for availability and additional information.

Document No. D16740EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5 6 7 8

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2SK3815-TL	ONSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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