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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK382 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK3820 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
|
| 2SK3820(SMP-FD) | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,26A I(D),TO-263ABVAR |
|
| 2SK3820-DL-1E | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET, 100V, 26A, 60mΩ, Sing |
|
| 2SK3820-DL-E | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 100V 26A 60 mOhm Single N-Channel SMD |
|
| 2SK3820-FD5-E | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 100V 26A 60 mOhm Single N-Channel SMD |
|
| 2SK3821 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK3821(SMP-FD) | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,40A I(D),TO-263ABVAR |
|
| 2SK3822 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK3823 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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