2SK3793

更新时间： 2024-11-24 22:52:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	175K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3793 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ISOLATED TO-220, MP-45F, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	10 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.148 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3793 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3793

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3793 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

2SK3793

PACKAGE

designed for high current switching applications.

Isolated TO-220

FEATURES

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 125 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 6 A)

R^DS(on)2= 148 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 6 A)

• Low Ciss: Ciss = 900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(Isolated TO-220)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

100

±20

±12

±22

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

2.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

EAS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 50 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16777EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published March 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SK3793相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3794	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3794	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3794	TYSEMI	获取价格	Low On-state resistance RDS(on)1 = 44 m MAX. Built-in gate protection diode
2SK3794-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3796	SANYO	获取价格	N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converte
2SK3796_12	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-2	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3796-2-TL-E	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-3	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,1.2MA I(DSS),SOT-416
2SK3796-3-TL-E	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications

与2SK3793相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3793

2SK3793 技术参数

2SK3793 数据手册

与2SK3793相关器件

与2SK3793相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3793

2SK3793 技术参数

2SK3793 数据手册

与2SK3793相关器件

与2SK3793相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？