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2SK3759

更新时间： 2024-11-25 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 91K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSサ)

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2SK3759 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

2SK3759 数据手册

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2SK3759  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSⅥ)  
2SK3759  
unit：ｍｍ  
Switching Regulator Applications  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 6.5S (typ.)  
= 0.75Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
4.x  
4.7 max  
10.5 max  
Low leakage current: I  
DSS  
= 100 μA (V  
= 500 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
3.84±0.2  
DS  
1.3  
1
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta  
= 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
V
V
500  
500  
±30  
8
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
1.5 max  
0.81  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
GS  
0.45  
Gate-source voltage  
2.7  
DC  
(Note 1)  
I
D
2.54  
Pulse (t = 1 ms)  
I
32  
DP  
(Note 1)  
1
2
3
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
74  
48  
W
D
Single pulse avalanche energy  
(Note 2)  
E
AS  
mJ  
1. Gate  
2. Drain(HEAT SINK)  
3. Source  
Avalanche current  
I
8
7.4  
A
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
JEDEC  
JEITA  
SC-46  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
TO-220AB  
TOSHIBA  
―
Thermal Characteristics  
Weight : 2.0g(typ.)  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
1.68  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C(initial), L = 1.28 mH, I = 8 A, R = 25 W  
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
2
1
3
2004-02-26  
1
123456

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