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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK376L | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 250UA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK376M | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 400UA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK377 | SANYO |
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CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS |
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| 2SK3770-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3771-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3772-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3772-01_06 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3773-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3774-01L | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 300V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3774-01S | FUJI |
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T-pack |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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