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2SK3761

更新时间： 2024-11-24 21:53:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 91K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS?)

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2SK3761 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

2SK3761 数据手册

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2SK3761  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSⅥ)  
2SK3761  
unit：ｍｍ  
Switching Regulator Applications  
.7x  
4.7 max  
10.5 max  
3.84±0.2  
1.3  
1
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 5.0S (typ.)  
= 0.9Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
DSS  
= 100 μA (V  
= 600 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta  
= 25°C)  
1.5 max  
0.81  
0.45  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
V
V
600  
600  
±30  
6
V
V
V
A
DSS  
DGR  
GSS  
2.7  
7  
2.54  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
GS  
1
2
3
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
Pulse (t = 1 ms)  
I
24  
74  
54  
DP  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
1. Gate  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
AS  
2. Drain(HEAT SINK)  
3. Source  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
6
7.4  
A
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
JEDEC  
TO-220AB  
SC-46  
―
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight : 2.0g(typ.)  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
1.68  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C(initial), L = 2.6 mH, I = 6 A, R = 25 W  
1
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
2004-02-26  
1
123456

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